

晶圓粘附HMDS預(yù)處理系統(tǒng) 半導(dǎo)體粘附設(shè)備適用于傳統(tǒng)的硅基集成電路制造,在第三代半導(dǎo)體(如SiC、GaN)、良好封裝(TSV、Fan-Out)、以及Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移等新興領(lǐng)域,
晶圓粘附HMDS預(yù)處理系統(tǒng) 半導(dǎo)體粘附設(shè)備的重要性
在亞微米乃至納米級(jí)別的芯片制造世界中,光刻是定義電路圖形的核心環(huán)節(jié)。然而,一個(gè)常常被忽視的前道工序——晶圓表面預(yù)處理,卻是決定光刻成敗的“隱形守護(hù)者"。您是否曾困擾于光刻膠的粘附不足,導(dǎo)致在顯影或刻蝕階段出現(xiàn)令人頭疼的“底膜"(Undercut)或“膠層剝離"?這些微小的缺陷,正是最終影響器件性能與產(chǎn)線良率的元兇之一。六甲基二硅氮烷(HMDS)氣相預(yù)處理,作為提升光刻膠粘附力的標(biāo)準(zhǔn)解決方案,其工藝質(zhì)量直接關(guān)乎制造的成敗。
精準(zhǔn)控制技術(shù): 采用獨(dú)特的加熱多區(qū)獨(dú)立溫控設(shè)計(jì),能夠?qū)崟r(shí)補(bǔ)償晶圓邊緣的熱損失,確保從中心到邊緣的HMDS反應(yīng)溫度梯度越小。
動(dòng)態(tài)終點(diǎn)監(jiān)測(cè)與閉環(huán)反饋: 系統(tǒng)集成高靈敏度的監(jiān)測(cè)模塊,可控制HMDS蒸汽的吸附狀態(tài)。通過智能算法,調(diào)整涂覆時(shí)間控制劑量,形成工藝閉環(huán),從根本上杜絕了因人為設(shè)置或環(huán)境波動(dòng)導(dǎo)致的批次間差異。
均勻性與一致性:可在2-12英寸晶圓上實(shí)現(xiàn) > 99% 的膜厚均勻性成為可能,處理后接觸角范圍為50~95°,均勻性可達(dá)±3°
產(chǎn)能與效率: 可批量生產(chǎn)2-12寸晶圓,一個(gè)或多個(gè)casstaer
精確控制: 溫控精度、真空度控制、HMDS蒸汽控制精確至S
自動(dòng)化與集成: 可集成到現(xiàn)有生產(chǎn)線,設(shè)備支持SECS/GEM協(xié)議
成本效益: HMDS消耗量更低,維護(hù)成本和耗材成本非常低,故障率幾乎為0
特殊工藝支持:可選擇圖像翻轉(zhuǎn)工藝
安全守護(hù):配有HMDS泄露監(jiān)測(cè)器,實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
部分用戶反饋使用我司HMDS預(yù)處理系統(tǒng)后,生產(chǎn)工藝得到了改善
光刻膠相關(guān)缺陷率下降: 超過 70%
整體產(chǎn)品良率提升: 穩(wěn)定提升至 98.5% 以上
晶圓粘附HMDS預(yù)處理系統(tǒng) 半導(dǎo)體粘附設(shè)備應(yīng)用
該系統(tǒng)不僅適用于傳統(tǒng)的硅基集成電路制造,在第三代半導(dǎo)體(如SiC、GaN)、良好封裝(TSV、Fan-Out)、以及Micro-LED巨量轉(zhuǎn)移等新興領(lǐng)域,設(shè)備的粘附促進(jìn)能力同樣展現(xiàn)出巨大潛力。穩(wěn)定的表面處理是這些 技術(shù)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的基石。 適用于半導(dǎo)體晶圓制造廠(Foundry)、集成電路設(shè)計(jì)公司的工藝研發(fā)部門、MEMS制造企業(yè)、光罩生產(chǎn)、化合物半導(dǎo)體(如GaN, SiC)器件制造商、科研院所和高校的微納加工實(shí)驗(yàn)室。 良好封裝(AP)廠商、LED制造商、微流控芯片研發(fā)公司等。